神港精機株式会社：成膜装置

このページでは重点製品や新製品をご紹介しています。

PIG式｜SBD式

■DLC薄膜形成装置

１．PIG式DLC薄膜形成装置　『第２１回　中小企業優秀新技術・新製品賞』受賞

試作・少量生産用APIG-1060D型
成膜方式	PIG式プラズマCVD装置
装置設置スペース	W2,500×D2,500×H2,000(mm)
標準処理寸法	Φ100×H200(mm)×8軸
操作方法	半自動制御
標準ガス系	Ar、H2、C₂H₂、TMS
基板加熱ヒーター	標準装備

量産用AAPIG-16110D型
成膜方式	PIG式プラズマCVD装置
装置設置スペース	W4,000×D3,000×H2,700(mm)
標準処理寸法	Φ140×H400(mm)×12軸
操作方法	全自動制御
標準ガス系	Ar、H₂、C₂H₂、TMS
基板加熱ヒーター	標準装備

※オプション機能として
（１）スパッタリング機能取り付けにより、他金属、他金属化合物の積層膜および傾斜膜対応が可能です。
（２）イオン窒化機能取り付けにより、処理母材の硬度が上昇します。
弊社工場にて、サンプルデモ機常時あり、サンプル評価対応可能。お気軽にお問い合わせください。

■DLC膜の特徴＜１＞

（１）装置原理と構成

本装置は熱陰極PIGプラズマCVD装置です。
低温かつ高真空での処理を可能とし、硬度と平滑性に優れたDLC（ダイヤモンドライクカーボン）膜の形成を実現致しました。
他方式に比べ、基板に入射するイオンの量とイオンのエネルギーをそれぞれ独立して制御できる為、極めて広範な膜質の制御が可能です。
成膜範囲としてプラズマガンの正面ではなく、周囲方向全面の為、投入電力やガス量に対して、非常に効率的な成膜が行えます。

（２）非晶質SiC+DLC(Si)積層構造

神港精機（株）のDLC膜は標準推奨条件として中間層に危険度の低いTMS（テトラメチルシラン）ガスによる非晶質SiCを採用し、
Si含有DLC膜との積層構造としております。
本構造の採用により、以下の効果が得られます。
（１）DLCの応力緩和に貢献。＞＞厚膜対応（20μm）以上達成。
（２）基板材料を選ぶことなく、密着力の向上が可能＞＞対応範囲の拡充。
（３）優れたトライボロジ特性。＞＞各種摺動部品の長寿命化。（相手材への攻撃性も低減）
（４）成膜中でのガス切り換えにて対応可能。＞＞簡略操作
（５）排ガス処理等の付帯設備は一切不要。＞＞イニシャル及びランンニングコストの低減。

■DLC膜の特徴＜2＞

（１）厚膜（20μm以上）の達成	（２）ハイレート（3μm/h以上）を実現

（３）表面粗度0.1～0.3μm）の達成

（４）トライボロジ特性　往復摺動タイプの摩擦摩耗試験機にて測定

（５）密着力

ロックウェル圧痕試験

（６）低温成膜が可能


２．SBD式DLC薄膜形成装置

（１）装置原理と構成

自己放電型CVD装置です。
バイアス電源にパルスDC電源を採用し、アノード電極（弊社特許）を付属させる事で異常放電やチャージアップを抑制します。
本方式で穴の内面や立方体の全面に低温にて（200℃以下）成膜が可能です。
中間層（SiC層）及びドーピング用（Si含有DLC）として、PIG方式同様、TMSガスを採用しております。
又構造がシンプルで且つ放電部のみの着膜である事から、真空槽内部が汚れ難くメンテナンス性が非常に優れています。

（２）成膜状態

φ200基盤台×6段

φ80×1t×22段

（３）基本性能

φ60×30(穴径φ25)

硬さ：ナノインデンターによる　　膜質評価用基板：超硬チップ

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