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| ■プラズマリフロー装置 | |||
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>>新製品・重点商品紹介ページ でもご紹介しています。
| プラズマリフロー装置 | |
| 【特徴】 1． はんだバンプを加熱溶融する際に、H2プラズマにて発生させた還元力の強い水素ラジカルを照射する事により、はんだの酸化物を除去し、清浄なバンプ形成を可能にしています。 2． はんだバンプ溶融を真空中で行うため、バンプ内の気泡（ボイド）を減少させられます。 3． 急冷機構付きヒーターステージにより、リフロー時間短縮・リフロー後の急冷を可能にし、良好なリフロー条件を実現しています。 4． 6及び8インチウェハに対応した、カセットtoカセットの枚葉自動化装置になっています。 |
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| メッキ法バンプ形成プロセスプラズマリフローの特徴 | |
| マイクロ波プラズマダウンフロー方式により発生した還元力の強い水素ラジカルのみを、基板表面に効率良く導きます。 この水素ラジカルが、はんだ層及びバリアメタルの酸化物を還元・除去します。 また、真空中ではんだの溶融を行うため、ボイドも同時に除去出来ます。 水素ラジカルの還元力を利用するため、通常のリフローで必須とされるフラックスが不用となり、フラックス塗布工程が削減出来ます。 また、フラックスを使用しないため、リフロー後のフラックス洗浄が不要となり、洗浄液による環境汚染を低減します。 |
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| プラズマリフローによるはんだ及びバリアメタルの還元効果（バンプのSEM観察） | |
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| プラズマ処理無し | プラズマ処理有り |
| 印刷法バンプ形成プロセスプラズマリフローの特徴 | |
印刷した鉛フリーペーストはんだに、マイクロ波プラズマダウンフロー方式により発生した還元力の強い水素ラジカルを照射し、バンプを形成する新プロセスを、東京大学・須賀教授及び千住金属工業(株)と共同開発した。 ペースト中のフラックスには、印刷性のみを付与する成分だけを使用し、リフロー後にフラックス成分が全く残らないため、リフロー後の洗浄が不要となっている。 安定かつ低コストが可能となる印刷法を使い、無洗浄バンプ形成プロセスを実現しました。 |
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| この新プロセスで形成したバンプは、フラックスに活性成分を含まないにもかかわらず、清浄かつ球状の形成に仕上がっている。 また、真空雰囲気中ではんだ溶融を行うため、バンプ内のボイドも除去される。 |
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| バンプ形成後SEM写真 | X線透過写真 |