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| ■プラズマCVD装置 | |||
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| 実験用パルスプラズマCVD装置 |
| 高出力（最高５０ｋＷ）の高周波電力を間欠的に印加し、瞬間的に原料ガスを分解して成膜します。
また、原料ガス、 反応ガスとも間欠的に導入し、効率の良いプラズマ反応を起こさせるため、２００℃以下の低温でＳiＯ2、ＳiＮx、ＴｉＮ等の 成膜ができます。 |
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| 量産用インターバック式プラズマCVD装置 |
| 高周波励起によるプラズマ中で各種反応ガスを分解し、活性化して化学反応を起こさせることによって成膜する 平行平板型プラズマＣＶＤ装置です。ロードロック室と成膜室から構成の量産用装置です。 |
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| 【特徴】 適正な電極間距離、反応ガスの均一供給、放電電極の適正化と加熱処理によって１５μmのＳiＯ2膜が形成できます。 電子部品の多量生産装置として最適です。 |