■エッチング・アッシング装置 プラズマエッチング装置EXAM 　 ターボ付きEXAM ハードモード・ソフトモードの切り換えで、異方性エッチング及び等方性 エッチングを実現します。 広域ターボポンプを使用している為、広い圧力範囲でのエッチングが出来ます。 また、RFパワー，電極間距離，ガス流量などを、幅広く制御出来る装置です。 研究開発や小ロット生産に適しています。 【オプション】 ロードロック室 カセットｔｏカセット搬送 ▲pagetop ダウンフロー＆２ステップアッシング装置 　 DREAM＆CHAMP マイクロ波ダウンフロー方式による、低ダメージ高スループットアッシング装置（ＣＨＡＭＰ）とマイクロ波ダウンフローチャンバーとＲＩＥチャンバーを組み合わせた高ドーズイオン注入後レジスト膜剥離用２ステップアッシング装置（ＤＲＥＡＭ）です。 ■ダウンフローアッシング方式 マイクロ波により発生したプラズマの中のイオン及び電子を完全にトラップし、ラジカルのみを ステージ上のウェハ表面に導きアッシングさせる事により、チャージアップによるダメージを防ぎます。 ■2ステップアッシング 高ドーズイオン注入等でダメージを受けたレジストに対し、２ステップ処理により無残渣でアッシング出来る画期的な 方式です。 １．ファーストステップ ダメージを受けたレジストの表面は、固い変質層になっており、先ずこの変質層を独自の方法で除去します。 ２．セカンドステップ 表面の固い変質層を除去した後の残ったレジストに対し、ダウンフロー方式により高速なアッシング処理をします。 ▲pagetop SWP高密度プラズマ装置 　 石英表面に沿って表面波を伝播させ、プラズマ生成を行う事から、表面波プラズマ（SWP）と呼び、無磁場で高密度なプラズマを発生させる事が出来ます。 この表面波プラズマ技術により、大面積プラズマの形成が可能となり、大面積基板の高速エッチング・アッシング・クリーニング処理が可能となりました。(下：SWP発光の図） 等方性アッシング・エッチングプロセス 表面波プラズマダウンフロー方式を採用する事により、低ダメージなアッシング・エッチングプロセスを実現します。 異方性エッチングプロセス 表面波プラズマにバイアス電圧を付加しステージを冷却する事により、異方性エッチングプロセスを実現します。 CVDプロセス 表面波プラズマの高密度特性及び大面積特性を生かした、CVDプロセスを実現します。 ▲pagetop

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