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製品情報

マルチチャンバICPエッチング装置

エッチング室を複数装備できる新型マルチチャンバタイプエッチング装置です。
新開発ICPエッチングチャンバを2室装備できます。
同装置は従来のMEMSプロセスSi深掘りエッチングや石英のエッチングだけでなく低開口度の犠牲層エッチングにも対応しています。
また、独自のSiエッチングプロセスにより、インプリントプロセスにも対応しております。
同装置の新エッチングプロセスは精密な基板温度制御機構とウェハクランプ機構により、精度と再現性に優れます。
また高精度エッチングモニタを装備しており、通常では検知不可能な低開口部のエッチングエンドポイントをリアルタイムで管理できます。
温度及びガス比率により膜種・デバイス構造に合わせた高選択比のエッチングプロセスを実現しています。

デバイスの種類・プロセスに合わせダメージレスアッシングチャンバなど異種プロセス室の装備が可能となっています。
本装置は新型機構の採用により量産プロセスを大きく改善いたします。
エッチング対象物:Si , SiO2 , SiC , SiN etc.
対応ウエハサイズ:~8inch Wafer

サンプルデモ受付中(シングルチャンバタイプにて対応)


 

装置構成図

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